型号 |
SI4874BDY-T1-E3 |
厂商 |
Vishay Siliconix |
描述 |
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
SI4874BDY-T1-E3 PDF |
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代理商 |
SI4874BDY-T1-E3
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产品目录绘图 |
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
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标准包装 |
1 |
系列 |
TrenchFET® |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
30V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
12A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
7 毫欧 @ 16A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
3V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
25nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
3230pF @ 15V
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功率 - 最大 |
1.6W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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供应商设备封装 |
8-SOICN
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包装 |
剪切带 (CT)
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产品目录页面 |
1662 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
SI4874BDY-T1-E3CT
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